طراحی یک تقویت‌کننده توزیع‌ شده کم‏ توان با استفاده از تکنیک بایاس بدنه برای سیستم‌های فراپهن ‏باند

Abstract

در این مقاله، یک تقویت‌کننده توزیع‌شده CMOS جدید بر اساس سلول بهره متوالی ارائه ‌شده است. تقویت‏کننده پیشنهادی که شامل یک سلول دارلینگتون و یک طبقه سورس مشترک با سلف پیک‏دهنده است، بهره مسطح و بالایی را در پهنای باند وسیع ارائه می‏دهد. علاوه بر این، با استفاده از تکنیک‏های بایاس مستقیم بدنه و شبکه پایان‏دهی RL برای خط انتقال گیت، به‏ترتیب به توان مصرفی پایین و عدد نویز کم دست‌یافته است. برای بررسی اثر روش‏های مطرح‌شده، تقویت‏کننده توزیع‏شده پیشنهادی در فناوری µmCMOS 18/0 طراحی و با استفاده از نرم‌افزار Spectre-RF جانمایی و به‏صورت Post-layout شبیه‌سازی ‌شده است. این تقویت‌کننده در پهنای باند GHz 13-1، دارای بهره توان مستقیم (S21) dB 1 ± 12، عدد نویز (NF) 7/5-1/4 و تلفات بازگشتی ورودی (S11) و خروجی کمتر از dB 10- است. توان مصرفی این تقویت‏کننده با استفاده از منبع ولتاژ V2/1،mW 9/24 است.