نویسندگان | ابوالفضل بیجاری,سمیه زنگوئی,سلمان زندیان سفیددشتی |
---|---|
همایش | بیست و هفتمین کنفرانس مهندسی برق ایران |
تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۱۹-۰۴-۳۰ |
محل برگزاری همایش | یزد |
شماره صفحات | ۰-۰ |
نوع ارائه | سخنرانی |
سطح همایش | داخلی |
چکیده مقاله
در این مقاله، یک تقویتکننده توزیعشده CMOS جدید بر اساس سلول بهره متوالی ارائه شده است. تقویتکننده پیشنهادی که شامل یک سلول دارلینگتون و یک طبقه سورس مشترک با سلف پیکدهنده است، بهره مسطح و بالایی را در پهنای باند وسیع ارائه میدهد. علاوه بر این، با استفاده از تکنیکهای بایاس مستقیم بدنه و شبکه پایاندهی RL برای خط انتقال گیت، بهترتیب به توان مصرفی پایین و عدد نویز کم دستیافته است. برای بررسی اثر روشهای مطرحشده، تقویتکننده توزیعشده پیشنهادی در فناوری µmCMOS 18/0 طراحی و با استفاده از نرمافزار Spectre-RF جانمایی و بهصورت Post-layout شبیهسازی شده است. این تقویتکننده در پهنای باند GHz 13-1، دارای بهره توان مستقیم (S21) dB 1 ± 12، عدد نویز (NF) 7/5-1/4 و تلفات بازگشتی ورودی (S11) و خروجی کمتر از dB 10- است. توان مصرفی این تقویتکننده با استفاده از منبع ولتاژ V2/1،mW 9/24 است.
کلید واژه ها: تقویتکننده توزیعشده، سلول دارلینگتون، بایاس بدنه، پهن باند.