آخرین ویرایش (تنظیم نشده)

طراحی، شبیه سازی و ساخت تقویت کننده توان 200 وات با بازدهی بالا با استفاده از ترانزیستورهای GaN HEMT برای کاربرد های باند S

نام نویسنده (دانشجو):

مقطع تحصیلی: دکتری
سمت استاد در پایان‌نامه/رساله: استاد مشاور