ایده‌ی نگارش این کتاب در حدود ده سال پیش و همزمان با چاپ اولین مقاله‌ی نویسندگان در مورد مدل‌سازی منابع PV متولد شد. در آن زمان، عمدتاً از مدل‌های الکتریکی ساده استفاده می‌گردید. مقادیر پارامترهای مدل مداری تک‌دیودی (SDM ) پرکاربرد به‌واسطه‌ی رویه‌های تقریبی که اغلب مشتمل بر دو مرحله بودند، شناسایی می‌شدند. در ابتدا از مکانیسم‌های تلفات صرف نظر شده و در ادامه از طریق ثابت‌کردن مقادیر سایر پارامترها، فرایند شناسایی آن‌ها انجام می‌شد. پدیده‌های ناهمخوانی، به‌خصوص سایه‌جزئی، از طریق ضرب ساده‌ی توان تولیدی آرایه در شرایط آزمایش استاندارد در ضریب تلفات لحاظ می‌گردیدند. عواملی که موجب استهلاک سلول‌ها و دیودهای میان‌بر می‌شدند، تنها مشاهده یا در موارد ساده‌ شبیه‌سازی می‌شدند. همچنین، نیاز به شبیه‌سازی بلادرنگ آرایه‌ی PV در شرایط کاری غیرمتداول همراه با دیودهای میان‌بر و سدکننده و با استفاده از سیستم یکپارچه در آن زمان مطرح نبود. ازاین‌رو، چالش دستیابی به یک شبیه‌سازی سریع، دقیق، کارآمد و قابل اطمینان آرایه‌های بزرگ تنها در تعداد محدودی از مراجع علمی مورد بررسی قرار گرفته بود. ده سال بعد، همزمان با افزایش دانش و اطلاعات‌ پژوهشگران درباره این موارد، این کتاب منتشر و درآن جدیدترین یافته‌های علمی و تحقیقاتی به‌منظور هدایت خوانندگان به‌سمت دستیابی به بهترین و مناسب‌ترین مدل آرایه در کاربرد خاص گنجانده شد. در اولین فصل این کتاب، فصل 1، به‌واسطه‌ی دست‌کاری نمادین و مناسب معادله‌ی غیرخطی توصیف‌کننده‌ی آرایه از طریق متغیرهای ولتاژ و جریان آن، از SDM برای شبیه‌سازی سریع آرایه‌های کوچک و بزرگی که در شرایط استاندارد کار می‌کنند، استفاده می‌شود. پیش‌زمینه‌ی ارائه‌شده در این فصل امکان درک اکثر رویکردهای پیشرفته‌ی مطرح‌شده در کتاب را فراهم می‌کند. به‌منظور استفاده‌ی کاربردی از مدل فوق و همچنین سایر مدل‌های موجود در این کتاب، خواننده باید داده‌های موجود در داده‌نمای مشخصات فنی ارائه‌شده توسط سازنده پنل را به پارامترهای مربوط به مدل مداری تبدیل کند. این چالش در فصل دوم این کتاب مورد بررسی قرار گرفته است؛ در این فصل، روش‌های مختلف تقریب‌ها با استفاده از فرمول‌های صریح و همچنین فرمول‌های دقیق که نیازمند حل دستگاه معادلات غیرخطی هستند، مقایسه می‌شوند. بنابراین، به‌واسطه‌ی SDM ارائه‌شده در فصل اول و مقادیر پارامترهای تعیین‌شده با روش‌های تشریح‌شده در فصل 2، امکان شبیه‌سازی آرایه‌هایی که در شرایط به‌اصطلاح \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\