بهبود بازدهی تقویت کننده توان ترانزیستوری GaN HEMT در باند فرکانسی L با استفاده از روش ردیابی پوش

چکیده مقاله

تقویتکنندههای توان یکی از اجزای مهم در ساختار فرستندههای مخابراتی محسوب میشود. بالابردن میزان بازدهی و خطینگی دو هدف بسیار مهم در طراحی تقویتکنندههای توان میباشد. بالابردن میزان بازدهی باعث توان مصرفی کمتر، عمر منبع تغذیه طولانیتر و مدیریت گرمایی بهتر در یک تقویتکننده خواهد شد. بهبود خطینگی نیز باعث اعوجاج و خرابی کمتر در شکل موج سیگنال خروجی شده و امکان تقویت سیگنالها با دامنه بیشتری را میدهد. در این مقاله روش بهبود بازدهی تقویتکننده توان بر مبنای روش ردیابی پوش ارائه شده است. روش مذکور جهت بهبود بازدهی تقویت- بر روی ترانزیستور فرکانس بالای ADS کنندههای توان ارائه شده است. شبیهسازیهای انجام شده با استفاده از نرمافزار 10 نشان میدهد که روش مذکور میتواند بازدهی توان افزوده بالای 24 درصد در W با توان خروجی GaN HEMT 1.55 ارائه دهد. GHz 1.65 و مقدار بیشینهای 85 درصد در فرکانس GHz 1.35 تا GHz محدوده فرکانسی