A novel 4H SiC MESFET with recessed gate

نویسندگانSeyed-Hamid Zahiri,
نشریهSuperlattices and Microstructures
شماره صفحات516-523
شماره سریال1
شماره مجلد60
ضریب تاثیر (IF)1.564
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار2013
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپایران
نمایه نشریهJCR،Scopus

چکیده مقاله