Recessed insulator and barrier AlGaN/GaN HEMT A novel structure for improving DC and RF characteristics

نویسندگانSeyed-Hamid Zahiri,Hoseini Seyed Ebrahim
نشریهPramana - Journal of Physics
شماره صفحات58-64
شماره سریال4
شماره مجلد88
ضریب تاثیر (IF)0.52
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار2017
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپایران
نمایه نشریهJCR،Scopus

چکیده مقاله